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机译:带条纹沟槽电极的SOI RESURF横向器件的概念
42-V Automotive System; Lateral; MOS; Power; Reduced Surface Field (RESURF); Silicon-On-Insulator (SOI); Trench;
机译:虚拟交界概念三重Resurf横向电力装置优化标准的理论研究
机译:基于逐步充电任命概念的体硅横向功率器件的RESURF效应的新物理见解
机译:基于横向线性梯度近似的SOI RESURF横向功率器件的一维击穿电压模型
机译:SOI-Resurf设备的SOI安全操作区域上的高压横向MOS晶闸管共源共栅开关
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:与留置装置相关的感染:发病机理的概念;与血管内装置相关的感染。
机译:不同器件概念的比较将开关隔离式sOI技术的工作电压提高到900V以上
机译:4H siC侧面单区REsURF二极管