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机译:使用90 nm节点技术的气隙铜互连的工艺和可靠性
Air-gaps; Capacitance; Copper; IC interconnections; Reliability; Seals; Stress;
机译:高可靠性,低电容的Ru阻挡层Cu互连用气隙形成新技术
机译:气隙铜互连的牺牲CVD膜回蚀工艺
机译:Cu表面粗糙度对TDDB的影响,用于直接抛光40 nm及更高工艺节点上的超低k介电Cu互连
机译:气隙铜互连的可靠性以及使用90nm节点技术进行选择性W密封的方法
机译:Al(Cu)互连中电迁移可靠性的研究。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:工艺引起的应力和芯片封装相互作用对气隙互连可靠性的影响