90mn后段铜互连制程相关可靠性的研究

摘要

本文对90mn后段铜互连制程相关可靠性进行了探讨。本研究选用介电常数比较小(K=4)的二氧化硅，在SiCN和铜互连线之间增加一层二氧化硅。实验结果显示由覆盖着二氧化硅样品的耐击穿电压要比没有覆盖二氧化硅样品的耐击穿电压要高15V左右。文章研究了SiCN薄膜沉积之前的He处理对耐击穿电压的影响。在SiCN 薄膜沉积之前通入He形成等离子体，对样品表面进行轰击，可以提高介质表面的粗糙度，提高SiCN 和低K介质(BD)之间的粘附性能。而且He处理也可以提高SiCN 和铜互连线表面的粘附性能。实验结果显示SiCN 薄膜沉积之前的He处理不能明显改变铜互连线的耐击穿电压特性，只能消除一些由于铜互连线表面缺陷引起得早期失效。

目录

声明

摘要

第一章引言

1.1课题背景

1.2铜互连技术的应用

1.3低K材料的应用

1.4本论文研究的目的和内容

第二章90nm后段铜互连工艺的介绍

2.1铜互连工艺

2.2铜的阻挡层

2.3铜膜的沉积

2.4铜的CMP

2.5低K介质材料

第三章90nm Cu/Low K结构的电迁移

3.1实际生产中的缺陷

3.2电迁移原理

3.2电迁移实验样品制备

3.3电迁移实验测试结构

3.4电迁移实验测试方法

3.5电迁移实验结果

3.6电迁移实验分析

第四章90nm Cu/Low K结构的击穿电压

4.1实际生产中的缺陷

4.2实验方法和测试

4.3测试结构

4.4实验设计和结果分析

第五章结论

参考文献

后 记