机译:含氟缺陷钝化和接口工程,用于基于for的高k $ /金属栅堆叠设备的可靠性和性能增强
MOSFET; electron mobility; fluorine; interface phenomena; passivation; semiconductor device reliability; semiconductor device testing; F; Element; HF-based high-k-metal gate stack device reliability; MOSFET; defect passivation; electron mobility; fluorine; interface;
机译:增强高
机译:高$ {k} $ CMOS器件的超薄SiO2界面层中的氮工程:氟,氧和硼缺陷迁移的第一性原理研究
机译:基于氟掺入通道的基于f的高κ栅堆叠系统阈值电压控制及其对短通道特性的影响
机译:在TA {SUB} XC {SUB} Y / HIGH-K GATE堆栈中使用氟化钝化,用于增强的设备阈值电压稳定性和性能
机译:栅极堆叠和通道工程:金属栅极和锗通道器件的研究。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件