机译:p型多晶硅薄膜晶体管退化的器件仿真分析
Department of Electronics and Informatics and the Joint Research Center for Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Japan;
Degradation; device simulation; p-type; poly-Si; thin-film transistor (TFT);
机译:多晶硅薄膜晶体管中漏电流对沟道膜质量的依赖性以及使用器件仿真的分析
机译:负栅极偏置应力对p型多晶硅薄膜晶体管的导通和低频噪声特性的影响
机译:用于分析p型多晶硅薄膜晶体管NBTI效应的自洽电热模型
机译:脉冲偏置应力下P型多晶硅薄膜晶体管的退化
机译:新型半导体器件和集成电路(砷化镓MESFET,IC模拟,MODFET,薄膜晶体管,非晶硅)的分析和设计。
机译:使用n型Al:ZnO和p型NiO薄膜晶体管的三维堆叠互补薄膜晶体管
机译:使用电荷泵技术评估多Si薄膜晶体管的自加热和热载体降解