...
机译:n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管在反向击穿偏置下的白光电致发光
Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei, China;
Atomic layer deposition (ALD); gallium nitride; heterojunction; white-light-emitting diode (LED); zinc oxide;
机译:n-ZnO线阵列/ p-GaN薄膜异质结发光二极管的反向偏置驱动双色电致发光
机译:n-ZnO-SiO $ _ {2} $-ZnO纳米复合材料/ p-GaN异质结发光二极管在正向和反向偏压下的紫外电致发光
机译:n-ZnO / p-GaN和n-MgZnO / p-GaN异质结发光二极管中紫外线电致发光的起源
机译:P-GaN / MgO / N-ZnO异质结发光二极管的电致发光
机译:使用单分散共轭低聚物的全色和白光偏振发光二极管。
机译:使用具有增强发光的n-ZnO / NiO / p-GaN异质结制造白色发光二极管
机译:n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管,具有掩埋极化诱导隧道结