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机译:基于金属氧化物电阻开关记忆的神经形态计算电子突触装置
Center for Integrated Systems and Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA;
Bio-inspired system; neuromorphic computation; resistive switching memory; spike-timing-dependent plasticity (STDP); synapse;
机译:分析TiN / Ti / HfO_2 / W器件中的电阻转换过程以模拟神经形态电路中的电子突触
机译:锡/ TI / HFO_2 / W器件电阻切换过程分析,以模仿神经形态电路的电子突膜
机译:TiW势垒层厚度依赖性过渡从基于ZrO_2的电阻切换随机存取存储器件中的电化学金属化存储过渡到价变化存储的影响
机译:可编程金属化单元(PMC)存储器的开关动力学建模及其在神经形态计算系统中作为突触设备的应用
机译:基于五氧化二铜-铂金器件结构的纳米交叉电阻开关存储器的制作
机译:用于神经形态应用的具有多级电阻开关的基于聚对二甲苯的忆阻器件
机译:基于钽氧化物电阻的互补电阻转换 内存设备