机译:锡/ TI / HFO_2 / W器件电阻切换过程分析,以模仿神经形态电路的电子突膜
Univ Granada Fac Ciencias Dept Elect & Tecnol Comp Ave Fuentenueva S-N E-18071 Granada Spain;
Univ Autonoma Barcelona Dept Engn Elect Edifici Q Bellaterra 08193 Spain;
Univ Autonoma Barcelona Dept Engn Elect Edifici Q Bellaterra 08193 Spain;
IMB CNM CSIC Inst Microelect Barcelona Campus UAB Bellaterra 08193 Spain;
Univ Granada Fac Ciencias Dept Elect & Tecnol Comp Ave Fuentenueva S-N E-18071 Granada Spain;
IMB CNM CSIC Inst Microelect Barcelona Campus UAB Bellaterra 08193 Spain;
Univ Autonoma Barcelona Dept Engn Elect Edifici Q Bellaterra 08193 Spain;
Univ Granada Fac Ciencias Dept Elect & Tecnol Comp Ave Fuentenueva S-N E-18071 Granada Spain;
Conductive filaments; Neuromorphic applications; Parameter extraction; Physical model; Resistive switching memory; RRAM;
机译:分析TiN / Ti / HfO_2 / W器件中的电阻转换过程以模拟神经形态电路中的电子突触
机译:基于金属氧化物电阻开关记忆的神经形态计算电子突触装置
机译:通过扫描和脉冲编程研究TiN / Ti / HfO_2 / W电阻开关器件的多级能力
机译:基于纳米离子氧化还原的电阻开关设备作为用于生物启发式计算架构的突触:一项调查
机译:旋转传递扭矩实现的高效神经形态计算:设备,电路和系统
机译:用于神经形态应用的具有多级电阻开关的基于聚对二甲苯的忆阻器件
机译:内操作硬X射线光电子能谱研究在电阻开关$ Ti / HfO_2 / TiN $电池中电流顺应性和开关周期对氧和碳缺陷的影响
机译:基于忆阻器的突触设计的神经形态计算系统的电路实现。