机译:通过低温工艺和横向应变弛豫提高迁移率的高性能Si 0.45 sub> Ge 0.55 sub>无注入量子阱pFET
, GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA;
Annealing; Epitaxial growth; Logic gates; Silicon; Silicon germanium; Stress; Biaxial strain; SiGe channel; SiGe channel.; embedded SiGe stressor; epitaxy; quantum well (QW); raised extension;
机译:生长和等离子刻蚀的InAs_(0.45)P_(0.55)/ In_(0.68)Ga_(0.32)As_(0.45)P_(0.55)
机译:在Quantum级联激光结构中的AL_(0.45)GA_(0.55)AS / IN_XGA_(1-X)中的应变弛豫的发作。
机译:具有嵌入式e:Si0.75Ge0.25 S / D IFQW SiGe-pFET的应变c:Si0.55Ge0.45,用于DRAM外围应用
机译:高性能Si
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:FeTe0.55Se0.45中量子极限中Caroli-de Gennes-Matricon态的离散能级
机译:在SM0.55SR0.45MNO3 / ND0.55SR0.45MNO3双层中加强磁传输和磁阻各向异性的增强