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机译:Trigate纳米线MOSFET中随机电报噪声的实验研究
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan;
Random telegraph noise (RTN); silicon nanowire transistor (NW Tr.); silicon-on-insulator (SOI); silicon-on-insulator (SOI).;
机译:单个电荷陷阱或随机接口陷阱在全栅硅纳米线MOSFET中产生的随机电报噪声
机译:纳米线和通心粉MOSFET中的可变性效应 - 第二部分:随机电报噪声
机译:考虑器件几何结构的Trigate纳米线MOSFET自热效应的实验研究
机译:纳米线和通心面MOSFET中的随机掺杂物波动和随机电报噪声
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:接触电阻式随机存取存储设备中的电子传导建模为随机电报噪声
机译:纳米mOsFET中随机电报噪声(RTN)幅度的研究:“反转层中的空穴”模型的缩放极限
机译:随机变频信号噪声中听觉检测的实验研究