机译:非对称结构对包括量子约束在内的锗锗电子-空穴双层隧道FET的影响
Nanoelectronic Devices Laboratory, ??cole Polytechnique F??d??rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland;
Asymmetric layouts; band-to-band tunneling (BTBT); heterogate electron-hole bilayer tunnel FET (HG-EHBTFET); heterogate electron???hole bilayer tunnel FET (HG-EHBTFET); inversion layer; quantum confinement; quantum confinement.;
机译:杂化电子-空穴双层隧道FET中的开关行为约束:量子约束效应和非对称结构之间的组合相互作用
机译:评论“杂化锗锗电子-空穴双层隧道场效应晶体管中场致量子约束的评估” [Appl。物理来吧105,082108(2014)]
机译:响应“关于'评估杂化锗锗电子-空穴双层隧道场效应晶体管中的场致量子限制的评论'[Appl。物理来吧106,026102(2015)]
机译:锗电子孔双层隧道FET的静态和动态行为研究:0.25 V电源电压应用的前景
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:Ge量子阱中g因子和导电电子自旋寿命的强限制诱发工程
机译:用对称排列的双门'锗电子孔双层隧道场效应晶体管评论
机译:非对称Inas量子点分子的工程电子和空穴隧穿;杂志文章