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【2h】

Comment on ‘Germanium electron–hole bilayer tunnel field-effect transistors with a symmetrically arranged double gate’

机译：用对称排列的双门'锗电子孔双层隧道场效应晶体管评论

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作者
J L Padilla; C Alper; F Gámiz; A M Ionescu;
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年度 2015
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