机译:TCAD研究确定任意尺寸肖特基接触的平面集电极EBIC配置的扩散长度
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore;
Electron microscopy; semiconductor device measurement; semiconductor materials; simulation; simulation.;
机译:使用EBIC技术确定有限厚度法向集合体的扩散长度
机译:使用EBIC线扫描直接提取半导体材料参数的方法的研究:平面集电极配置
机译:使用EBIC从任意结深度值的扩散结中确定扩散长度
机译:EBIC法测定Hg1-xCdxTe(x〜0.2至0.3)中少数载流子的扩散长度
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:Pt / Ta2O5 / MoO3肖特基接触纳米带跨跨异质结的最佳传感温度的确定
机译:EBIC研究Au / n型GaN肖特基接触
机译:在测量小扩散长度时使用多个EBIC曲线和低压电子显微镜