...
机译:基于工艺的分析,用于使用16nm体式FinFET器件改善环形振荡器的特性
Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Bulk Fin-typed FETs (FinFETs); characteristic fluctuation; effective capacitance; effective resistance; frequency; inkline process parameters; integrated circuit quiescent current (IDDQ); ring oscillators (ROs);
机译:线性工艺参数相关性分析的系统方法,该工艺参数对16 nm HKMG体FinFET器件的电特性产生工艺变化影响
机译:重离子轰击对16nm体FinFET技术中触发器设计的单事件翻转响应的角度影响
机译:16纳米大容量FinFET CMOS工艺中基于感测放大器的触发器设计的单事件性能
机译:改进16nm HKMG体FinFET CMOS电路动态特性的工艺技术分析
机译:自发热的3D分析及其对SOI和Bulk FinFET性能的影响。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动