机译:平面应变对物理柔性FinFET CMOS的影响
Integrated Nanotechnology Laboratory and the Integrated Disruptive Electronic Applications Laboratory, Electrical Engineering, Computer Electrical Mathematical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia;
Complementary-metal-oxide-semiconductor (CMOS); Complementary-metal-oxide???semiconductor (CMOS); FinFET; Flexible; strain; strain.;
机译:X射线和质子辐射对40 nm CMOS物理上不可克隆的功能器件的影响
机译:在线性和非线性土壤中,SH脉冲在平面外响应期间,地基的柔性增加了基础剪力和水平应变
机译:基于双物理交联双网络水凝胶的鲁棒和柔性应变传感器,用于监测人类运动
机译:平面应变对基于硅的柔性FinFET的影响
机译:空间应用中CMOS和FinFET纳米尺度晶体管辐射效应的比较研究
机译:编织热塑性复合材料的平面外压缩响应:应变率和温度的影响
机译:平面应变对物理柔性FinFET CMOS的影响
机译:弹道武器系统中的弹性壳体 - 颗粒相互作用。第一部分aNB-3066推进剂中应变诱导损伤的恢复。第二部分。包含损伤效应的非线性玻璃/环氧树脂复合材料的粘弹性表征。