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机译:使用电退火修复因热载流子注入引起的性能下降的自固化全能栅极MOSFET
Degradation; Joule heat; MOSFET; electrical annealing; gate-all-around (GAA); hot-carrier injection (HCI); nanowire; reliability; self-curable; self-curable.;
机译:局部电热退火修复全能栅极MOSFET中总电离剂量引起的损坏
机译:深入研究深亚微米N和P沟道部分和完全耗尽的单键和SIMOX MOSFET中热载流子注入引起的退化
机译:B. Boukriss等人对“因热载流子注入而局部退化的短通道MOSFET中的1 / f噪声过冲的建模”发表评论并作回应
机译:热载流子引起的100nm以下部分耗尽SOI MOSFET退化的电荷泵研究
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:微波退火对硅衬底中等离子体诱导的缺陷结构的光电性能的影响
机译:在改进的晶片上制造的130nm部分耗尽的SOI PMOSFET中由热载体注射诱导的降解