机译:面向40nm CMOS工艺的RF应用的片内HBM和HMM ESD保护设计
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan;
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Electrostatic discharges; Radio frequency; Hidden Markov models; Capacitance; Inductors; Integrated circuit modeling;
机译:RF /高速I / O ESD保护:在高级CMOS过程中的BEOL电容与HBM免疫之间的共同优化策略
机译:用于90nm RF CMOS中具有4-KV HBM ESD保护的直接转换应用的高增益,低电源电压LNA
机译:CMOS工艺中使用多晶硅二极管的片上ESD保护设计
机译:在四分之一微米CMOS工艺中使用多晶硅二极管为GHz RF集成电路提供片上ESD保护设计
机译:CMOS片上三维电感器的设计与在射频生物传感中的应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:设计避免深亚微米CmOs工艺中对EsD保护电路的过栅驱动效应