...
机译:具有选择性硅化的栅极和源极区域的高性能垂直功率DMOSFET
机译:一个50V,0.7mΩ* cm / sup 2 /垂直功率DMOSFET
机译:用于高频功率转换的选择性硅化垂直功率DMOSFET
机译:覆盖源极/漏极扩散区的金属硅化物布局对三栅极SOI MOSFET寄生电阻最小化的影响及实用设计指南的建议
机译:硅化硅侧壁源极和漏极(S〜4D)结构,用于高性能75 nm栅极长度pMOSFET
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:具有ALD-Al2O3栅极电介质的全离子注入常关GaN DMOSFET
机译:100Å互补硅化物源极/漏极薄体mOsFET,适用于20nm栅极长度范围