机译:减少多晶硅栅极电子回旋共振蚀刻过程中天线充电效应的新技术
机译:多晶硅间隔栅技术可减少沟槽功率MOSFET的栅极电荷
机译:多晶硅门控MOS器件的电容-电压模型,包括基于总半导体电荷修正的衬底量化效应
机译:多晶硅栅掺杂浓度对超薄栅氧化物等离子体充电损伤的影响
机译:用于0.15 / splμm/ m多晶硅栅极蚀刻的在线等离子体感应充电监控器
机译:使用氯气蚀刻多晶硅的电感耦合等离子体的计算机模拟。
机译:多晶硅源极门控晶体管中的自热效应
机译:CmOs晶体管栅极制造纳米技术制造集成的蚀刻工艺效应
机译:Tasi / sub X //多晶硅栅极结构中的辐射效应