机译:在300 GHz以上的f / sub T /和f / sub max / InP / InGaAs双异质结双极晶体管,具有薄的拟晶基极
NTT Photonics Labs., NTT Corp., Kanagawa, Japan;
heterojunction bipolar transistors; gallium arsenide; III-V semiconductors; indium compounds; semiconductor device breakdown; semiconductor device reliability; equivalent circuits; double heterojunction bipolar transistors; pseudomorphic base; collec;
机译:具有最大振荡频率535 GHz的共基四指InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:组成和掺杂渐变的InP / InGaAsSb双异质结双极晶体管,同时具有
机译:F_(max)为305 Ghz的共基多指亚微米Ingaas / inp双异质结双极晶体管
机译:InP / InGaAs / InP双异质结双极晶体管,具有300 GHz F / sub max /
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于具有异质结结构的氧化锌薄膜晶体管的高度透明且表面等离子体增强的可见光探测器
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:基于sb的双异质结双极晶体管(DHBT),Fmax> 650 GHz,适用于340 GHz发送器