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机译:带有未掺杂存储节点的增益单元动态随机存取存储器的长期保留
DRAM chips; MOSFET; leakage currents; silicon-on-insulator; DRAM; MOSFET; gain-cell dynamic random access memory; logic circuits; low current leakage characteristics; silicon-on-insulator device; subthreshold leakage; undoped memory node; Gain-cell dynamic random ac;
机译:动态随机存取存储器上存储单元保留时间的新扩展方法
机译:基于双栅极金属 - 氧化物半导体场效应晶体管的电容无电动随机接入存储器,具有Si / SiGe异质结和下划线结构,提高感测余量和保留时间
机译:非对称双栅极结构的单晶电机动态随机存取存储器Celis进行保留特性改进
机译:动态随机存取存储器中存储单元保留时间的新扩展方法
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:引流淋巴结中Ag特异性记忆CD4 + T细胞的保留表明淋巴样组织常驻记忆种群
机译:动态随机存取存储器中的单硅空位-氧络合物缺陷和可变保留时间现象
机译:VLsI(超大规模集成)Ram(随机存取存储器)和pROm(可编程随机存取存储器)的电气特性