机译:PEGaN SiN钝化在AlGaN / GaN HEMT中增加高频通道噪声的机理
Channel noise; GaN; Si substrate; high-electron-mobility transistor (HEMT); passivation;
机译:带有LPCVD沉积的SiN和PECVD沉积的SiCOH低k钝化的AlGaN / GaN HEMT
机译:PECVD SiN钝化对AlGaN / GaN HEMT中偏置相关的等效电路元素的综合研究
机译:Si上的AlGaN / GaN HEMT中的SiN钝化改善了微波噪声性能
机译:工程PECVD SIN钝化层以使AlGaN / GaN Hemts能够低泄漏,低电流塌陷和高击穿电压
机译:分析影响ALGaN / GaN HEMT安全运行的故障机理。
机译:氧等离子体处理对采用PECVD SiO2栅极绝缘体的原位SiN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
机译:AlGaN / GaN MIS-HEMT与PECVD SINX,SION,SIO2作为栅极电介质和钝化层