...
机译:高性能Al-Sn-Zn-In-O薄膜晶体管:钝化层对器件稳定性的影响
Transparent Electronics Team, Electronics and Telecommunications Research Institute, Daejeon, Korea;
Amorphous semiconductor; multicomponent oxide semiconductor; passivation; sputtering; stability; thin-film transistors (TFTs);
机译:具有各种钝化层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的稳定性和高频操作
机译:采用AlO_x钝化层改善Al-Sn-Zn-In-O薄膜晶体管的光子偏压稳定性
机译:钝化层沉积速率和疏水性对后沟道蚀刻无定形Ingazno薄膜晶体管的稳定性影响
机译:Al
机译:两步法制备Cu2ZnSnSe4薄膜太阳能电池。
机译:钝化层对非晶InGaZnO薄膜晶体管正栅极偏置-应力稳定性的影响
机译:聚酰亚胺钝化层和聚乙烯醇钝化层对有机薄膜晶体管的影响(OTFTS)
机译:Ge衬底上Znse和Zns sub X se sub 1-X外延层的制备和评价,用于表面钝化和异质结器件