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机译:集成有钳位电路的AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体异质结场效应晶体管,实现常关工作
School of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Seoul, Korea;
Clamp circuit; GaN; clamp circuit; metal-oxide-semiconductor heterojunction field-effect transistor (MOSHFET); monolithic integration; normally-off;
机译:常关的AlGaN / GaN-On-Si金属 - 绝缘体 - 半导体异质结场效应晶体管,具有氮气掺入的氧化硅栅极绝缘体
机译:常闭凹槽式AlGaN / GaN-on-Si金属氧化物半导体异质结场效应晶体管的动态导通电阻
机译:采用先栅工艺的常关AlGaN / GaN异质结金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:通过UV照射的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管特性的变形