Centre d'Etudes Nucléaires de Saclay - France;
机译:先进的径向结薄膜光伏和探测器,内置硅纳米线
机译:利用LA沉积的有机膜的硅表面屏障检测器的结静电研究
机译:L-B技术沉积有机膜的硅表面屏障探测器的结静电研究
机译:基于硼硅结的探测器响应时间
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:通过与P-I-N结集成的光子晶纳米芯片的全硅光探测器