机译:低温处理的IZO和a-Si:H TFT的稳定性(200 $ ^ {circ} {hbox {C}} $)
School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA;
Electrophoretic; flexible display; indium –zinc–oxide thin-film transistor (IZO TFT); polyethylene naphthalate (PEN); transparent circuits;
机译:$ hbox {SiN} _ {x} $栅极电介质沉积功率和温度对a-Si:H TFT稳定性的影响
机译:在塑料基板上制造的低温沉积a-Si:H TFT的温度不稳定性
机译:低温处理的a-Si TFt塑料基板的特性
机译:单室PECVD工艺沉积SiN / sub x // a-Si / n / sup + / a-Si膜的温度对a-Si TFT电学特性和稳定性的影响
机译:低温溶液处理低压IGZO TFT的制备,表征和应用
机译:通过在SiO2缓冲层上形成In-F纳米粒子可显着降低低温IGZO TFT的性能和稳定性
机译:低温(<200ºC)处理的顶栅微晶硅TFT
机译:a-si:H TFTs中的阈值电压不稳定性及其对柔性显示器和电路的影响