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机译:基于InGaN的发光二极管中效率下降的解释:随机分布的富裕有源区的饱和辐射复合速率
机译:勘误表:基于InGaN的发光二极管中的效率下降的解释:随机分布的富裕有源区域的饱和辐射复合速率
机译:密度激活的缺陷复合可能是GaN基二极管效率下降的可能解释
机译:密度激活的缺陷复合可能是GaN基发光体效率下降的可能解释
机译:氮化铟镓/氮化镓多量子阱LED的工程效率下降
机译:通过下垂翅片发光二极管(LED)为潜水仪进行高亮度激光
机译:半极性低效率下垂的解释$(20 \ bar 2 \ bar 1)$ 通过评估载流子复合系数,InGaN / GaN LED