机译:用装置仿真分析有机卤化物钙钛矿和金属触点来提取界面捕集密度
机译:研究金属/高k $半导体器件在不同参数下以及有无界面状态密度(陷阱)时的电容特性
机译:不同参数金属/高k半导体器件电容特性的研究,但没有界面状态密度(陷阱)
机译:通过器件仿真分析了无空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池背接触功函数的影响
机译:使用电容方法提取石墨烯场效应器件中的界面陷阱能级密度
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:金属氧化物-石墨烯场效应晶体管:界面陷阱密度提取模型
机译:快速热退火Al / SiNx中的低界面陷阱密度:H / InP金属-绝缘体-半导体器件
机译:OsHa安全研究(职业安全与健康管理局)电动压力机自动跳闸的实验方差:第2阶段 - 机器驱动装置:手触点,脚触点和非接触装置的人机工程学安全的人机界面