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【24h】

Min-Delay Margin/Error Detection and Correction for Flip-Flops and Pulsed Latches in 10-nm CMOS

机译:最小延迟边距/错误检测和触发器和脉冲闩锁在10-NM CMOS中的校正

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摘要

Min-delay (MID) error rates increase dramatically under aggressive voltage and technology scaling, limiting VMIN. Pulsed latches offer significant clocking power savings over flip-flops but further aggravate MID failures. This letter proposes MID margin/error detection and correction (M2/EDAC) for flip-flops and pulsed latches to reduce VMIN guard bands for voltage noise, temperature variation, and aging, and to detect and correct rare MID failures. Statistical data collection from a prototype in 10-nm tri-gate CMOS shows up to 122-mV VMIN reduction. Reliable pulsed latches enabled by M2/EDAC offer 12%-18% total dynamic power savings for logic blocks in 10-nm CMOS.
机译:最小延迟(中间)误差率在积极的电压和技术缩放下显着增加,限制Vmin。脉冲锁存器提供了触发器的显着钟表,但进一步加剧了MID故障。这封信提出了中间边距/错误检测和校正(m 2 / EDAC)对于触发器和脉冲闩锁,减少Vmin保护带,用于电压噪声,温度变化和老化,并检测和校正稀有的中间故障。从10-NM三栅极CMOS中的原型中的统计数据收集显示出高达122mV的Vmin减少。可靠的脉冲闩锁由m启用 2 / EDAC为10-NM CMOS中的逻辑块提供12%-18%的总动态节能。

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