机译:前体化学和工艺条件对1T-1R基于HFO 2 RRAM装置的细胞 - 细胞变异性的影响
机译:基于$ hbox {Ni / HfO} _ {2} $的RRAM器件中的开关变异性分析
机译:氧化后沉积退火对基于HfO 2 sub>的氧化物RRAM和导电桥RAM器件中电阻转换的影响
机译:温度对基于嵌入式$ hbox {HfO} _ {2} $的RRAM器件的电阻切换行为的影响
机译:当前的合规性对基于HfO2的RRAM器件的可变性的影响
机译:质子辐射对基于HfO2的RRAM的影响
机译:前驱体化学和工艺条件对基于1T-1R的HfO2 RRAM器件中细胞间变异性的影响
机译:温度对基于HfO2的1T-1R电阻随机存取存储器件的传导机制和开关参数的影响