机译:在还原的TiO2单晶上制造的四端忆阻器件的演示操作
机译:作者校正:基于四端TiO2中的氧空位分布控制的突触功能门调整?x忆空间
机译:基于氧气空位分布控制的四端子TiO2的突触功能门调谐?X Memristive Devices
机译:单晶3C-SiC(111)四端子器件中的伪霍尔效应
机译:退火时间对Pt / TiO2 / ITO忆阻器件忆阻行为的影响
机译:球形钡铁氧体纳米粒子和六铁氧体单晶,用于信息数据存储和射频设备。
机译:在还原的TiO2单晶上制造的四端忆阻器件的演示操作
机译:通过射频溅射法制造的氧掺杂ZrN基基电阻切换存储器装置的操作电流降低
机译:维氏压痕硬度为化学计量和还原的单晶TiO2(金红石)从25到800℃