机译:利用IGZO和IGO沟道层的氧化物薄膜晶体管的漏极偏压降解现象的起源。
机译:沟道宽度对阈值电压负移的影响,包括高栅极和漏极偏置应力下InGaZnO薄膜晶体管中应力引起的驼峰现象
机译:负偏压和光照下IGZO薄膜晶体管应力引起的驼峰现象研究
机译:沟道组成对非晶态铝-铟-锌-氧化物沟道层固溶处理的透明氧化物薄膜晶体管的偏压照明应力稳定性的影响
机译:漏极偏压对非晶InGaZnO薄膜晶体管中负栅极偏压和照明应力引起的退化的影响
机译:铟镓锌氧化物和锌锡氧化物薄膜晶体管的制造工艺评估和负偏压照明应力研究。
机译:利用IGZO和IGO沟道层的氧化物薄膜晶体管的漏极偏压降解现象的起源。
机译:使用IGZO和IGO通道层的氧化物薄膜晶体管漏极偏压下降现象的起源