...
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In 0.17 sub> Al 0.83 sub> N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:金属有机气相外延生长In_(0.17)Al_(0.83)N / GaN异质结构的小价带偏移
机译:In_(0.17)Al_(0.83)N / GaN谐振隧穿二极管的负差分电阻特性的可再现性-理论研究
机译:MBE在Si(111)上生长的Al0.2Ga0.8 N / GaN和In0.17Al0.83N / GaN异质结构的比较结构表征,缓冲层厚度有所变化
机译:SiC衬底上的Al0.83In0.17N / AlN / GaN MOS-HEMT中“负”电容且陡峭于40mV / decade亚阈值摆幅的实验观察和物理学
机译:搜索基于半金属Heusler合金/砷化镓半导体的有效旋转注射异质结构:一种理论研究
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:金属有机气相外延生长的In0.17Al0.83N / GaN异质结构的小价带偏移