机译:通过自由基掺杂和真空退火增强CVD石墨烯的霍尔迁移率和电导率
机译:通过自由基掺杂和真空退火增强CVD石墨烯的霍尔迁移率和电导率
机译:通过Zr掺杂和真空退火提高溶胶-凝胶掺杂ZnO薄膜的电导率
机译:通过ZR掺杂和真空退火的溶胶掺杂ZnO膜的导电性的提高
机译:具有使用氧化CVD(OCVD)的高载体迁移率的重掺杂的聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)薄膜用于有机光伏应用:电导率稳定性和载流子
机译:掺杂和未掺杂氧化硼/氧化磷,沉积和退火的PECVD锗硅酸盐玻璃的溶解度,电性能和应力状态的表征。
机译:分析生长和退火的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs量子阱中的霍尔迁移率
机译:Si0.2Ge0.8 / Si0.7Ge0.3 / Si(001)p型调制掺杂异质结构退火引起的霍尔迁移率增强
机译:电导率迁移率,霍尔迁移率和p型硅中的电阻率