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机译:单端稳健低功耗8T SRAM单元的设计与分析
机译:一种新颖的低功耗8T SRAM单元设计,采用上下自控电压电平技术(采用45 nm技术)
机译:使用最小功耗设计方法的低功耗8t冲压设计
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:低功耗和强大的8T / 10T亚阈值SRAM单元
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:使用8T SRAM单元方法设计和验证低功耗SRAM