首页> 外文期刊>EPJ Web of Conferences >Dirac’s HdCdTe semimetals grown by MBE technology
【24h】

Dirac’s HdCdTe semimetals grown by MBE technology

机译:用MBE技术生长的狄拉克HdCdTe半金属

获取原文
           

摘要

Peculiarities of the MBE growth technology for the Dirac’s semimetal based on the Hg1-xCdxTe alloys have been presented. Composition of layers was controlled by ToF-SIMS, FTIR measurements, and by the E1+Δ1 maximum position of optical reflectivity in visible reason. The surface morphology has by determined via atomic force and electron microscopy.
机译:已经提出了基于Hg1-xCdxTe合金的狄拉克半金属MBE生长技术的特殊性。通过ToF-SIMS,FTIR测量以及可见光原因下的光学反射率的E1 +Δ1最大位置来控制层的组成。通过原子力和电子显微镜确定了表面形态。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号