用MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAsMMHEMT直流特性研究

摘要

本文报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAsMMHEMT的研制过程和器件的直流性能.该器件的直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT水平,可应用于发展微波毫米波器件及其MMIC.