机译:考虑参数变化影响的纳米级7T SRAM单元总漏电流的建模与估计
机译:7T静态随机存取存储器(SRAM)单元的泄漏分量和静态噪声容限的估计
机译:采用45 nm技术的7T SRAM单元的漏电流降低技术
机译:基于FinFET的7T和8T SRAM单元的减少泄漏技术分析
机译:考虑参数变化影响的纳米级CMOS器件中总泄漏电流的建模和估计
机译:在时序分析,漏电流分析和延迟故障诊断中确定性的模内变化建模。
机译:基于临床参数的模型可预测腹腔镜全直肠系膜切除术后的吻合口漏血。
机译:考虑参数变化影响的纳米级CmOs器件总漏电流建模与估算