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机译:未裂解氢化物对化学束外延生长在GaAs(100)上GaAs外延层中生长和碳结合的影响
机译:用未裂解的s和三甲基镓通过化学束外延生长GaAs
机译:利用固体源分子束外延研究GaAs上InGaAs和GaAs外延层中氮的掺入
机译:使用射频等离子体源通过化学束外延生长的GaAsN外延层中氮的高掺入
机译:使用未裂解的单乙基ar进行化学束外延形成InGaAs的刻面形成和选择性区域外延
机译:来自甲基硅烷和氢化硅的硅碳(001)气源分子束外延:碳掺入和表面偏析对生长动力学的影响。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过液相外延(LpE)在100 Gaas上表征和晶体生长Gaas和alxGa1-xas外延层。
机译:成功的分子束外延生长和(110)Gaas / Gaas和(110)alGaas / Gaas的表征