E-beam lithography exposure conditions for the fabrication of RGB filter based on metal/dielectric subwavelength grating

S A Fomchenkov; M A Butt; V V Podlipnov; S D Poletaev; R V Skidanov; N L Kazanskiy

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E-beam lithography exposure conditions for the fabrication of RGB filter based on metal/dielectric subwavelength grating

机译：基于金属/电介质亚波长光栅的RGB滤光片的电子束光刻曝光条件

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ThemainideaofthisworkwastodeterminetheoptimizedparametersofE-beamlithographytoobtainmetalgratingoverdielectricthinfilm.Thiscombinationofmetal/dielectriccanprovidehightransmissionspectrumofRGBcolors.DifferentelectricfluxdensitieswereusedduringE-beamwritingandthebestresolutionandsymmetricperiodicitywasobtainedat53μC/cm2dose...

机译：这项工作的主要目的是确定电子束光刻的最佳参数以在薄膜上获得金属光栅。这种金属/电介质的组合可以提供高透射率的RGB颜色光谱。在电子束书写期间可以使用不同的电通量密度，并获得最佳分辨率和对称周期2，从而获得了53厘米的周期性。

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来源
《Journal of Physics: Conference Series》 |2016年第1期|共页
作者
S A Fomchenkov; M A Butt; V V Podlipnov; S D Poletaev; R V Skidanov; N L Kazanskiy;
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正文语种
中图分类物理学;
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