机译:高铟含量InGaN对晶格匹配的ZnO牺牲衬底的影响
机译:抑制晶格匹配的ZnO衬底上生长的InGaN层中的相分离
机译:牺牲ZnO模板上的无缺陷厚铟IngaN纳米结构的纳米选择区域生长
机译:通过铟组成不同的InGaN / AIGaN超薄超晶格势垒减少InGaN量子阱中的内部极化场
机译:ZnO基牺牲衬底上高铟含量InGaN的生长
机译:短时应变平衡氮化砷化镓/氮化砷化铟超晶格与磷化铟匹配,适用于中红外光伏系统。
机译:与ZnO晶格匹配的m面InGaN的脉冲溅射外延生长
机译:高质量InGaP / GaAs量子阱的光学研究:晶格匹配成分周围铟含量的影响
机译:测量的组成和激光发射波长Ga sub x In sub 1-x as sub y p sub 1-y LpE Layt Lattice-matched to Inp substrates。