机译:纳米器件的原子层沉积研究综述
机译:等离子体增强原子层沉积的回顾:纳米器件制造的技术推动力
机译:WN_xC_y的低温等离子体增强原子层沉积生长,由新型前驱物用于纳米级器件中的阻挡层
机译:用于MOS设备的多晶硅金刚石上的高κ层的原子层沉积:综述
机译:原子层沉积共反应物脉冲时间对65nm CMOS集成的基于铪的基于二氧化铪的纳米级RRAM装置的影响
机译:使用基于臭氧的ALD(原子层沉积)的高K电介质沉积(氧化铝),用于石墨烯基器件。
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:原子层沉积对纳米光子结构和器件的影响:综述