机译:带水闸场效应晶体管(WG-FET)的具有固有读出电路的位移传感器
WG-FETelectrical double layerdisplacement sensoractive measurement;
机译:基于闸门探头距离的浇筑场效应晶体管(WG-FET)实现与交流建模
机译:使用16nm厚单晶硅膜的水控场效应晶体管(WG-FET)的盐浓度依赖性研究
机译:用于在水环境中运行的互补集成电路的浇口N型有机场效应晶体管
机译:使用更高离子浓度的解决方案改善了水控场效应晶体管(WG-FET)电路的增益和带宽
机译:用于传感器和电路应用的低成本平面喷墨印刷碳纳米管场效应晶体管
机译:使用16nm厚的单晶硅膜的水控场效应晶体管(WG-FET)的建模和实现
机译:具有固有读出电路的位移传感器,采用采用水门效应效应晶体管(WG-FET)