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机译:(001)和(110)取向(PbMg 1/3 sub> Nb 2/3 sub> O 3 sub>)外延的性质极化旋转描述硅上2/3 sub>-(PbTiO 3 sub>) 1/3 sub>薄膜
机译:具有Pb(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3 / PbO_x缓冲层和(001)取向的(100)取向的0.68PbMg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.32PbTiO_3的巨大能量收集潜力0.67PbMg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.33PbTiO_3薄膜
机译:制备条件对(001)SrTiO3上外延(PbMg1 / 3Nb2 / 3O3)0.67-(PbTiO3)0.33薄膜的相形成和性能的影响
机译:金属有机化学气相沉积法制备(100)-/(001)取向外延Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3薄膜的晶体结构和电性能的PbTiO_3含量依赖性
机译:直接比较外延(001) - ,(116) - 和(103) - 在SRTIO_3和硅基板上的SRBI_2TA_2O_9薄膜的结构和电性能
机译:改进IV族光子图:研究外延生长,低温硅和掺杂硅薄膜的材料特性
机译:通过极化旋转描述硅上(001)和(110)取向(PbMg1 / 3Nb2 / 3O3)2 / 3-(PbTiO3)1/3薄膜的外延特性
机译:通过极化旋转描述硅上(001)和(110)取向(PbMg1 / 3Nb2 / 3O3)2 / 3-(PbTiO3)1/3薄膜的外延特性