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机译:用于低噪声应用的InAlAs / InGaAs / InP pHEMT中的噪声表征
机译:基于InP的83nm低噪声InAlAs / InGaAs PHEMT的设计与实现
机译:使用1μmInGaAs / InAlAs / InP pHEMT的S波段低噪声放大器
机译:用于低噪声应用的130nm栅极长度InGaAs / InAlAs / InP HEMT的外延优化
机译:用于低噪声应用的新型InGaAs / InAlAs / InP pHEMT的线性建模
机译:采用集成技术的InGaAs二极管用于低噪声毫米太赫兹接收器。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:噪声表征INALAS / INGAAS / INP PHEMT用于低噪声应用
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较