机译:0.18m CMOS技术中逆变器的不同拓扑分析及其比较
机译:采用0.18m CMOS技术的高增益,两级,全差分音频放大器
机译:在0.18μmCMOS技术中为40ms / s 8位流水线ADC进行两种OP-AMP拓扑的比较分析
机译:纳米技术中CMOS反相器延迟分析的过冲效应建模
机译:采用40nm CMOS技术的新型串并联反相电荷泵拓扑
机译:高级批量CMOS技术中总剂量效应的分析和建模。
机译:具有像素内CDS放大的原位存储拓扑结构的CMOS超高速突发模式成像器的分析和设计
机译:纳米技术中CmOs逆变器延迟分析的超调效应建模