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机译:纳米技术中CMOS反相器延迟分析的过冲效应建模
Research Center of Information, Production, and Systems, Fukuoka Industry, Science and Technology Foundation, Waseda University, Fukuoka-shi, Kitakyushu-shi, JapanJapan;
CMOS inverter; gate delay; nanometer technology; overshooting time; switch-resistor model; timing analysis;
机译:亚100nm CMOS反相器过冲效应的解析模型
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机译:纳米技术中的CMOS逆变器过冲效应建模
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