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机译:基于臭氧的原子层沉积在WSe2上的Al2O3:成核和界面研究
机译:基于臭氧的Al2O3和HfO2原子层沉积的原位反应机理研究
机译:抑制基于臭氧的Al2O3原子层沉积中的衬底氧化:臭氧流速的影响
机译:基于气隙电容-电压法的原子层沉积Al2O3 / In0.53Ga0.47As界面形成机理的研究
机译:石墨烯上基于臭氧的原子层沉积的原位电学研究
机译:使用基于臭氧的ALD(原子层沉积)的高K电介质沉积(氧化铝),用于石墨烯基器件。
机译:单层氧化钛的原子层沉积石墨烯:关于了解成核和原子化的原子尺度研究成长性
机译:臭氧基原子层沉积Wse2上的al2O3:成核和界面研究
机译:通过原子层沉积在生物基包装材料上生长的薄al2O3阻隔涂层(Ohuet Biopohjaisille pakkausmateriaaleille atomikerroskasvatetut al2O3-Barrierpinnoitteet)