机译:使用10 nm厚缓冲层改善直流磁控溅射含Al掺杂的ZnO多晶薄膜的特性,该薄膜包含保留的原子。
机译:使用10 nm厚缓冲层改善直流磁控溅射含Al掺杂的ZnO多晶薄膜的特性,该薄膜包含保留的原子。
机译:射频,直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子传输和晶体学取向特征
机译:Al-掺杂浓度对ZnO缓冲层的ZnO ZnO薄膜光响应性质的影响
机译:通过在氮气氛中使用多个缓冲层工艺来增强Al掺杂的ZnO超薄膜上的光电性能
机译:多晶ZnO薄膜的合成,电学和气敏特性。
机译:直流磁控溅射性能的改进含保留Ar原子的Al掺杂ZnO多晶膜10nm厚的缓冲层
机译:错误:“磁控溅射靶侵蚀区域对透明导电ZnO多晶膜结构和电学空间分布的影响”J。苹果。物理。 124,065304(2018)
机译:基于Znse和ZnO缓冲层的多晶薄膜CuInse(sub 2)太阳能电池的研究。最终报告,1992年2月16日 - 1995年11月15日