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Dielectric dispersion in Te9Se72Ge19-xSbx (x=8, 9, 10, 11, 12) chalcogenide glassy alloy

机译:Te 9 Se 72 Ge 19-x Sb x 中的介电色散(x = 8,9,10, 11,12)硫属化物玻璃态合金

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摘要

Dielectric dispersion and conductivity of Te 9 Se 72 Ge 19-x Sb x (x = 8, 9, 10, 11, 12) chalco genide glassy allo y has been studied in frequency range 500 Hz to 1 M Hz and temperature range (300K-363K) below glass transformatio n region. Effect of temperature and frequency on dielectric response and conductivity of the material has been explained thoroughly using appropriate models. Activation energy of ac conductivity and other dielectric parameters have also been calculated to explore material's conduction mechanism and dielectric behaviour.
机译:在频率范围500 Hz至1 M Hz和温度范围(300K)下研究了Te 9 Se 72 Ge 19-x Sb x(x = 8、9、10、11、12)黄铜矿化玻璃质合金的介电色散和电导率-363K)在玻璃化转变区域下方。温度和频率对材料介电响应和电导率的影响已使用适当的模型进行了详尽的解释。还计算了交流电导率的活化能和其他介电参数,以探索材料的传导机理和介电性能。

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